50jr22 чем заменить в ресанте
Перейти к содержимому

50jr22 чем заменить в ресанте

  • автор:

Power Electronics

Добрый день . Помогите найти альтернативу igbt транзистору 40n60fd2. Могу ли я его заменить на 50jr22 ?

Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 11:02
GT50JR22 вполне неплохие.
https://radiodar.ru/gt50jr22-original-toshiba/
Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 11:27
owle писал(а):
GT50JR22 вполне неплохие.
https://radiodar.ru/gt50jr22-original-toshiba/

Там только разница в корпусах я так понимаю
Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 12:31
Они не хуже. Даже лучше. Используйте смело!
Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 13:42
FGH40N60SMD. А GT50JR22 медленные, за то ток КЗ будет больше, иногда это улучшает поджиг
Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 21:57
Joha писал(а):
FGH40N60SMD. А GT50JR22 медленные, за то ток КЗ будет больше, иногда это улучшает поджиг

Еще вопросик , а затворный резистор не нужно под него менять? Я про GT50JR22 если поставлю.
Заголовок сообщения: Re: Ресанта 190
Добавлено: 04-10, 23:16

По ёмкости он немного больше, но для уменьшения затворных резисторов надо и драйвер помощнее, по этому лучше оставить как есть

Страница 1 из 1 [ Сообщений: 7 ]

Часовой пояс: UTC + 4 часа

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 1

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения

GT50JR22 — IGBT транзистор — даташит

GT50JR22 IGBT транзисторы компании Toshiba Electronics Europe для индукционных печей и силовых инверторов, рассчитаны на рабочее напряжение до 600 В. и ток до 50 А., интегрируют в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод. Оптимизированы для применения в индукционных печах и и силовых инверторах, доступны в корпусах TO-3P(N), по размерам аналогичны корпусам TO-247. Данные IGBT-транзисторы отличаются высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока 50 А., типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А. составляет 1.65 вольт для GT50JR22. Транзисторы производятся по запатентованной технологии Enhancement-Mode-Technology компании Toshiba, обеспечивающей отличные динамические свойства силовых ключей. Типовое значение времени включения / выключения при токе коллектора 50 А составляет 0.25 мкс / 0.37 мкс. GT50JR22 ориентированы на применение в устройствах с высокой частотой коммутации. Допустимая рассеиваемая мощность транзисторов составляет 230 Вт.

Скачать datasheet GT50JR22. Даташит, описание, PDF, техническая документация.

GT50JR22 IGBT транзистор

Сварочные инверторы в которых применяется IGBT транзистор GT50JR22

Измеряем ёмкость переходов транзистора GT50JR22 (50JR22)

ВНИМАНИЕ! Эти измерения не имеют никакого отношения к данным приведённым в даташитах и других справочниках. Все измерения сделаны в домашних условиях обычными доступными приборами — цифровым мультиметром или китайским транзистор-тестером. Эти замеры могут иметь значение для сравнения. Действительно если у двух транзисторов имеющих одинаковое название сильно отличаются показания измерений — значит, по крайней мере, один из них точно подделка (если во втором мы полностью уверены, а если не уверены поддельными могут быть оба). Отличия в корпусах и шрифте маркировки только увеличивают подозрения.

Эта пара транзисторов куплена в магазине «Чип и Дип»

GT50JR22 вид спереди и сзадиGT50JR22 вид спереди и сбоку

GT50JR22 ёмкость затвор коллектор

GT50JR22 ёмкость затвор коллектор

GT50JR22 ёмкость затвор эмиттер

GT50JR22 ёмкость затвор эмиттер

GT50JR22 ёмкость коллектор эмиттер

GT50JR22 ёмкость коллектор эмиттер

Тема: Форма сигнала Ресанта220А

Khudam

  • Просмотр профиля
  • Сообщения форума
  • Личное сообщение
  • Записи в дневнике
  • Просмотр статей

Khudam вне форума

Зарегистрированный Регистрация 02.08.2013 Адрес Россия Сообщений 45 Сказал(а) спасибо 13 Поблагодарили 2 раз(а) в 1 сообщении

Форма сигнала Ресанта220А

Здравствуйте форумчане! ресанта 220А плата GP171 при осмотре обнаружил пробитый один транзистор в одном плече и пробитый один транзистор в другом плече 50JR22
(TOSHIBA).Что странно кроме пробитых этих ключей по одному на каждом плече,ни чего пробитого я не обнаружил.Все драйверные части можно сказать вылизал.Все в порядке.
Транзисторы поставил все 4 такие же.Аппарат запустился.Под нагрузкой еще не проверял.Мои замеры осциллограммы сделаны впаянным транзистором со снятым высоким напряжением.
Плата управление-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
Плата управление-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
ТГР вход-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
ТГР вход-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
ТГР выход нижнего плеча-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
ТГР выход нижнего плеча- центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
ТГР выход верхнего плеча- центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
ТГР выход верхнего плеча -центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
Затвор ключа нижнего плеча- центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
Затвор ключа нижнего плеча-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
Затвор ключа верхнего плеча-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 5мкс
Затвор ключа верхнего плеча-центр луча 0 вход открытый вольт на деление 2,развертка 2мкс
Суть вопроса не мог найти конкретного виновника выхода из строя силовых ключей.Большая просьба к знатокам все ли в порядке в моем случае с этими осциллограммами или нет.

Ремонт РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3 — замена GT50JR22

Ремонт сварочного инвертора РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3. Аппарат поступил в ремонт с убитыми силовыми транзисторами. Убились они по причине отсутствия диэлектрической распорки между радиаторами IGBT транзисторов, в результате замыкание между радиаторами и «кирдык» транзисторам, а заодно и защитным диодам. Такие ремонты уже попадались, ссылки внизу.

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3 вид сзади

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 30503443 V1.3

В инверторе используются четыре IGBT транзистора GT50JR22

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 30503443 V1.3 IGBT транзисторы GT50JR22

Каких-то особенностей данный ремонт не предполагает, банально меняем, что сгорело, в этом случае транзисторы GT50JR22 меняем на аналогичные, а защитные диоды MUR1560, которых не было в наличии, были заменены на RHRP1560. По ходу дела снимем режим работы платы управления.

Плата управления с 12-ю выводами 30503438 V1.0

В инверторе РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3 используется плата управления с 12-ю выводами 30503438 V1.0 на микросхемах: UC2845B и LM324.

транзисторы NCE0106Z и BC327

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3 режим работы платы управления 30503438 V1.0

РЕСАНТА САИ 250 GPV242 V1.3 режим работы платы управления 30503438 V1.0

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *