Что такое ток утечки диода

| Текущее время: Пн фев 05, 2024 02:55:34 |
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Запрошенной темы не существует.
Часовой пояс: UTC + 3 часа

Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y
Работоспособность сайта проверена в браузерах:
IE8.0, Opera 9.0, Netscape Navigator 7.0, Mozilla Firefox 5.0
Адаптирован для работы при разрешениях экрана от 1280х1024 и выше.
При меньших разрешениях возможно появление горизонтальной прокрутки.
По всем вопросам обращайтесь к Коту: kot@radiokot.ru
©2005-2024
Падение при прямом и обратном напряжении
Обратное напряжение VR показывает, что утечка тока при определенном напряжении не должна превышать предельного тока IR. Технические данные в справочниках приводятся для рабочей температуры 25°С. При меньших температурах запирающая способность будет падать, например, приблизительно 1.5 В/К для 1200 В диода.
Рис. 1.17. Обратное и прямое напряжение диода
При температурах выше температуры окружающей среды, обратное напряжение будет соответственно возрастать с одновременным ростом утечки. Следовательно, ток утечки определен также и для высоких температур (125 °С и 150°С). Если диод содержит золото, ток утечки может расти очень резко, что может привести к температурной нестабильности в цепях, где вся схема работает при высоких температурах из-за потерь в силовых приборах.
Рис. 1.18. Режим включения силового диода
Длительное прямое напряжение VF показывает, что при определенном токе прямое падение напряжения на диоде не должно превышать определенного значения. Обычно это значение устанавливается при определенной температуре. Решающий фактор в балансе потерь энергии — это прямое напряжение при высоких температурах. Все технические справочники по обратным диодам должны содержать данные об этой температурной зависимости.
ВЫПРЯМИ́ТЕЛЬНЫЙ ДИО́Д
ВЫПРЯМИ́ТЕЛЬНЫЙ ДИО́Д, полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный либо пульсирующий ток одной полярности. Действие В. д. основано на использовании зависимости электропроводности p – n-перехода или контакта металл – полупроводник (см. Шоттки барьер ) от значения и знака приложенного внешнего напряжения. Основу В. д. составляет ПП кристалл (Ge, Si, GaAs и др.). Для характеристики В. д. обычно используют следующие параметры: максимально допустимый прямой ток, максимально допустимое обратное напряжение, прямое падение напряжения при заданном прямом токе, обратный ток утечки. В зависимости от значения допустимого прямого тока В. д. подразделяются на диоды малой мощности (прямой ток до 0,3 А), средней мощности (от 0,3 до 10 А) и мощные (более 10 А). Предельные параметры В. д. зависят от окружающей темп-ры, конструкции корпуса и наличия теплоотвода. Для диодов большой мощности, как правило, применяется принудит. воздушное или водяное охлаждение.
Схема для проверки тока утечки диодов и полевых транзисторов
Испытываемый полевой транзистор совместно с резистором сопротивлением 22 кОм подключен как истоковый повторитель. Затвор транзистора заземлен через конденсатор С.

Ток утечки полевого транзистора заряжает конденсатор со скоростью, которая непосредственно пропорциональна току утечки и косвенно пропорциональна величине емкости конденсатора. С помощью конденсатора С емкостью 0,01 мкФ показывается каждый вольт изменения .через конденсатор С сохраненного заряда от 10^-8 кулон. Это может интерпретироваться как ток в амперах, если время, которое необходимо для увеличения напряжения на конденсаторе до 1 В, измеряется секундомером, и в это время снимаются показания вольтметра. Для тестирования диода требуется подключить его, как это показано штриховой линией на схеме, и использовать заведомо хороший полевой транзистор. Если напряжение через конденсатор С вырастет за 38,7 сек до 1 В, то ток утечки будет равен 0,258 нА.