Как измерить ку мощного транзистора

Бетник для мощных транзисторов

Несмотря на то, что народ массово кинулся в ламповое и микросхемное усилителе-строение, а на «рассыпухе» — на полевые транзисторы, все еще значительную долю занимают «рассыпные» УМЗЧ на биполярных «выхлопниках». Тем более, подобные аппараты постоянно попадаются для ремонта. Не вызывает сомнений постулат, что для минимизации нелинейных искажений требуется попарный подбор комплементарных транзисторов по крайней мере по коэффициенту их усиления. Особую важность это приобретает для мощных (сценических) УМЗЧ, в которых используется по несколько запараллеленных «выхлопников». Если для подбора маломощных транзисторов достаточно «китайских» мультиметров с режимом «бетирования», то для мощных транзисторов (по крайней мере отечественных транзисторов старых разработок), проблема измерения коэффициента их усиления (h_21e) осложняется еще и тем, что он существенно зависит от тока коллектора. Следовательно, измерять h_21e приходится при по крайней мере двух значениях коллекторного тока. Как-то попались мне для ремонта несколько мощных УМЗЧ, на выходе которых в каждом плече стояло по 4. 8 транзисторов КТ864/865. Покупать по несколько коробок с последующим отбором дома — выходило крайне накладно. Поэтому за день по-быстрому собрал «бетник», конструкция которого и приводится, с помощью которого отобрал нужное количество согласованных транзисторов прямо на рынке. Пользуюсь этим прибором уже более 4-х лет. «Полет — нормальный». Схемотехника «бетника», в принципе, известная. Он представляет собой микросхемный стабилизатор тока с выходным регулирующим транзистором, коллекторный ток которого и стабилизируется. Его h_21e измеряется по току, поступающему в базу транзистора стрелочным измерительным прибором PA1, включенным в диагональ диодного моста, что исключает необходимость коммутации при испытании транзисторов разной структуры. Дополнительный умощняющий каскад на транзисторах VT1-VT2 нужен чтобы не перегружать выход ОУ при тестировании транзисторов с малыми значениями h_21e при большом коллекторном токе. На схеме не показана кнопка, кратковременно подающая питание на всю схему, что позволяет экономить автономные источники питания и защищает измерительный прибор при проверке пробитых транзисторов, при неправильном их подключении или при неправильном выборе проводимости. Двухцветный светодиод VD1 индицирует, кроме наличия питания, и полярность тестируемого транзистора (красный — n-p-n, зеленый — p-n-p). Измерения проводятся при коллекторном токе 50 и 500 мА, выбираемых переключателем SA3. Измерения h_21e проводятся в трех диапазонах, выбираемых переключателем SA2 с минимальными значениями 10, 30 и 100. Относительным недостатком является обратная и существенно неравномерная шкала измерительного прибора: Опорное напряжение для стабилизатора тока задается стабилитронами VD2-VD3, включенными встречно-последовательно. Их следует подобрать по одинаковому напряжению стабилизации. В принципе, оптимальным вариантом было бы использование двуханодного термокомпенсированного стабилитрона, но мне они на напряжение стабилизации менее 6,2 В как-то не попадались, а опорное напряжение желательно бы делать поменьше — тогда на испытуемом транзисторе падает большая часть напряжения питания, что тоже важно для правильного измерения (например, h_21e у КТ8101/8102 существенно падает при коллекторном напряжении мене 5 В). Переключение полярности напряжения, поступающего на формирователь опорного напряжения и испытуемый транзистор разных типов производится переключателем SA1. Номинал эмиттерного резистора R11, задающего коллекторный ток 50 мА, приходится подбирать в зависимости от полученного опорного напряжения: При этом измерительный мост просто перемыкается накоротко. Номинал эмиттерного резистора R10, подключаемого параллельно R11 для задания тока 500 мА должен быть в 9 раз меньше, чем у R11. Номиналы резисторов измерительной части рассчитаны для головки на ток 100 мкА сопротивлением 550 Ом. Для других головок их придется пересчитать. Настройка производится при отключенном от генератора тока диодном мосте. При невозможности точного подбора номиналов низкоомных резисторов ставится ближайшего большего номинала, параллельно которому — более высокоомный, чтобы получить нужное сопротивление. Питается он от любого сетевого адаптера на напряжение 12…15 В и ток до 500 мА, либо от комплекта батарей на то же напряжение. В оригинальном варианте сетевой трансформатор с выпрямителем и фильтрующим конденсатором встроен прямо в корпус прибора. Алексей (Киев, Украина) ( Falconist )

• betnik.rar (11 Кб)

Теги:

Falconist Опубликована: 2010 г. 0 1

Вознаградить Я собрал 0 0

Станция диагностики мощных транзисторов

В радиолюбительской практике при конструировании используются полевые и биполярные мощные высоковольтные транзисторы, бывшие в употреблении. Простая проверка омметром межэлектродных переходов не всегда позволяет определить их исправность. Данный прибор позволяет при безопасном питании провести тестирование многих параметров транзисторов и их выбраковку. Введение: Основной неисправностью при выходе из строя радиоэлектронных устройств является пробой силового транзистора в блоках питания. Пассивные и активные системы защиты транзистора от импульсных помех, выполнение рекомендаций по выбору индуктивных элементов, утилизация энергии. Накопление энергии в магнитопроводе и передача её в нагрузку происходит в периоды коммутации ключевого транзистора.
Использование в однотактных преобразователях высоковольтных мощных полевых и биполярных транзисторов накладывает определённые условия их диагностики перед установкой вместо вышедшего из строя транзистора. Прибор предназначен для предварительной диагностики и выбраковки полевых и биполярных транзисторов прямой и обратной проводимости. Параметры испытаний:
1) определение рабочего состояния исследуемого транзистора.
2) определение коэффициента передачи тока.
3) регулирование мощности в нагрузке широтно-импульсным регулятором.
4) исследование температурного режима на холостом ходу и под нагрузкой.
5) исследование зависимости выходной мощности от частоты преобразователя.
6) тестирование высоковольтным напряжением. Исследование транзисторов проводится при пониженном питающем напряжении с гальванической развязкой от электросети.
Светодиодные и стрелочные индикаторы контроля позволяют определить техническое состояние испытуемого транзистора. Для импульсного исследования транзистора в схеме предусмотрен таймер в режиме генератора с двухполярным выходным сигналом.
Использование блока питания с плавной установкой напряжения также снижает вероятность повреждения радиоэлементов схемы, и даёт возможность провести диагностику транзисторов на разных режимах питающего напряжения. Для снижения помех созданных инвертором со стороны сети установлен двухзвенный фильтр.
В основу схемы испытательной станции положен обратноходовой импульсный инвертор.
В режиме накопления энергии транзисторный ключ замкнут, при передачи энергии в нагрузку транзисторный ключ кратковременно размыкается. Характеристики прибора:
Напряжение сети 220В
Напряжение питания 12 -36 вольт
Частота преобразователя 5 — 23 кГц
Максимальный ток транзистора 2А.
Тип транзистора — полевой и биполярный.
Режим — прерывистый ток.
Скважность 1-100. Устройство представляет собой однотактный инвертор напряжения с обратным включением выпрямительного диода. Выходное напряжение регулируется изменением длительности открытого состояния ключевого транзистора электронного коммутатора. К основным узлам инвертора проверки мощных транзисторов относятся:
— сетевой понижающий выпрямитель с фильтром помех преобразователя.
— генератор скважности импульсов с широтно-импульсным регулятором.
— однотактный преобразователь на ключевом транзисторе.
— усилитель перегрузки цепи защиты ключевого транзистора.
— стабилизированный регулятор напряжения питания инвертора.
— выходной выпрямитель цепи нагрузки с фильтром.
— приборы индикации технического состояния испытуемого транзистора. Описание работы элементов схемы: Генератор прямоугольных импульсов выполнен на аналоговом интегральном таймере (1) на микросхеме общего применения DA1. Микросхема обладает стабильной работой в широком диапазоне питающих напряжений и имеет мощные выходы. Применение интегрального таймера позволяет довольно просто выполнить генератор импульсов. Процесс заряд-разряда внешнего конденсатора С1 происходит циклически. Регулятор скважности R1 позволяет изменять скважность импульсов генератора. Заряд конденсатора С1 происходит по цепи VD1, R1, R2. Разряд через цепь R2R1VD2R4R3. Частота генератора при этом не меняется. Регулируется только ширина импульсов. Отношение интервала высокого уровня к полному периоду называется скважностью или рабочим циклом и зависит от времени заряда и разряда конденсатора C1.
В инверторе применена схема генератора с регулятором скважности импульсов на резисторе R1 и конденсаторе C1, и регулятором частоты преобразования на резисторе R5.
Частота генератора изменяется с изменением напряжения на выводе 5 DA1 — модификации уровня напряжения переключения компараторов (порога срабатывания).
На выходах 3 и 7 таймера DA1 сигналы имеют противоположные уровни, точнее когда на выходе 3DA1 высокий уровень выход 7DA1 закрыт и когда на выходе 3DA1 низкий уровень вывод 7 открыт и замкнут на минус источника питания. Питание генератора импульсов на таймере DA1 выполнено на стабилизаторе DA2, необходимость установки которого заключается в понижении напряжения источника питания до паспортных величин. Транзисторный ключ инвертора выполнен на исследуемом полевом или биполярном мощном транзисторе VT1. Зажимы подключения транзистора выведены на внешнюю сторону корпуса прибора. Обозначение: ХТ1-К/С соответствует выводу коллектора биполярного транзистора обратной проводимости или стока полевого транзистора N- проводимости, ХТ2 –Б/З база и затвор соответственно, ХТ3-Э/И эмиттер и исток соответственно. При проверке транзисторов прямой проводимости выводы ХТ1 и ХТ3 следует поменять местами. Импульс положительной полярности с выхода 3DA1 через резистор R4 поступает на вход исследуемого транзистора VT1, транзистор открывается, в первичной цепи трансформатора Т3 проходит импульс тока, трансформатор входит в режим насыщения. Проверка транзисторов прямой проводимости проходит по схеме: открытие транзистора через резистор R3 (подача минуса источника питания), закрытие — высоким уровнем с выхода 3 DA1.Трансформатор Т3 в данном случае будет находиться в эмиттерной цепи исследуемого транзистора прямой проводимости. Обратное напряжение первичной обмотки трансформатора Т3 гасится демпферной цепью VD6, R10, C6.
Закрытый во время прямого хода импульса диод выпрямителя вторичного напряжения VD7, во время обратного хода открывается, и ток созданный накопленной в магнитопроводе энергии трансформатора T3, поступает в нагрузку — лампу EL1. Светодиодный индикатор HL 2 и лампа позволяют визуально определить наличие напряжение на нагрузке и мощность. Транзисторы VT1, VT2 ввиду кратковременного режима испытаний не требуют мощных радиаторов. Питание цепей инвертора выполнено от стабилизированного источника тока на трансформаторе T2, выпрямителе VD4, и сглаживающем фильтре на конденсаторах С5С8. Регулятор напряжения на транзисторе VT2 позволяет плавно поднимать напряжение в цепях инвертора при определении характеристик. Светодиод HL1 указывает на наличие напряжения питания инвертора. На входе сетевого блока установлен входной высокочастотный фильтр, конденсатор С2 устраняет несимметричные помехи, дроссель на трансформаторе T1 устраняет симметричные помехи возникающие в процессе преобразования энергии. Обмотки трансформатора Т1 намотаны в разных секциях и включены синфазно.. Поэтому результирующий магнитный поток в магнитопроводе дросселя равен нулю, что даёт возможность использовать магнитопровод без магнитного зазора. Даже при малом числе витков такой дроссель обладает большим сопротивлением для тока симметричной помехи (3). Выходной высокочастотный трансформатор Т3 является источником помех, из-за наличия индуктивности рассеивания и возникновения выбросов напряжения. Для снижения уровня помех первичная обмотка высокочастотного трансформатора зашунтирована цепью состоящей из быстродействующего диода VD6 и нагрузки — резистора R10 с конденсатором С6 фильтра. Выбросы обратного напряжения после выпрямления диодом VD6 утилизируются в виде тепла на резисторе R10. Цепи вторичного напряжения:
Энергия преобразователя во время обратного хода преобразования выпрямляется мощным высокочастотным диодом VD7 с утилизацией на нагрузке – лампе EL1. Конденсатор С9 в параллельном подключении к диоду VD7 устраняет импульсные помехи во время преобразования тока диодом. Светодиод HL2 указывает на наличие напряжения на нагрузке. Радиокомпоненты: В схеме применены радиодетали заводского исполнения, аналоговый таймер типа NE555 заменим на КР1006ВИ1. Транзистор КТ827Б заменим на составной транзистор состоящий из КТ312Б и КТ819Б. Трансформатор Т3 применён от источника питания телевизора или монитора, можно использовать и самодельный трансформатор на ферритовым стержне или кольце 40*4*35. Количество витков первичной обмотки 45-50 диаметром 0,31мм типа ПЭЛ, вторичной 15 витков 3*ПЭЛ 0,31. Предварительно кольцо подготовить под провод, обмотав лакотканью. Трансформатор Т2 источника питания типа ТН или ТПП мощностью 100-120 ватт, на вторичное напряжение 32-36 вольт при токе 1-3 Ампера.
Контроль напряжений и оков в схеме выполняется с помощью выносного тестера или авометра.
Регуляторы скважности — R1 и частоты — R6, регулятор — «Питание» светодиоды HL1, HL2, выключатель сети -SA2 и предохранитель FU1 установлены на лицевой панели.
Транзистор VT2 выведен из печатной платы на отдельный радиатор.
Разъёмы подключения транзистора VT1 выведены из корпуса. Порядок сборки: Схема инвертора проверки мощных транзисторов собрана на печатной плате размерами 115*65 из стеклотекстолита. Трансформатор Т2 с фильтром установлены отдельно в корпусе.
Наладка устройства начинается с проверки монтажа схемы, напряжения источника питания, установки напряжения питания инвертора. Определение рабочего состояния исследуемого транзистора:
Исследуемый транзистор VT1 подключается к клеммам ХТ1-ХТ3 с указанными рекомендациями. контролируется свечение светодиодов HL1 — HL2, если это происходит транзистор исправен. Резкое возрастание тока или его отсутствие свидетельствует о неверном подключении или непригодном транзисторе. Определение коэффициента передачи тока:
Входной ток исследуемого транзистора ограничен резисторами R3, R4. яркость лампы зависит от усиления транзистора. Регулирование мощности в нагрузке выполняется резистором R1 — скважности, при этом мощность на нагрузке будет плавно изменяться. Изменение частоты генератора также влияет на мощность инвертора, чем выше частота, тем выше мощность при неизменных габаритах импульсного трансформатора T3.
Плавное изменение частотного диапазона зависит от положения движка резистора R6 — «Частота». Исследование температурного режима исследуемого транзистора без нагрузки и под нагрузкой, проводится с применением контактного термометра — тестера типа 830. Температура при длительном включении с током в 1000 мА не должна превышать 65 градусов Цельсия. Тестирование высоковольтным импульсным напряжением происходит постоянно при наличии преобразования. Амплитуду импульсного напряжения можно определить цифровым тестером или осциллографом на трансформаторе преобразователя. При наличии в исследуемом транзисторе межэлектродных микропробоев высоковольтные импульсы вскоре выведут такой транзистор окончательно из строя, ток резко возрастёт и при критическом состоянии произойдёт отключение схемы цепями защиты. Заключение:
Исследования, проведённые с помощью «Инвертора проверки мощных транзисторов», показали надёжность схемы. Напряжение вторичной цепи доходило до 26 вольт, без существенного нагрева испытуемого транзистора, на низких частотах наблюдался слабый писк обмоток трансформатора. Рабочее состояние платы вне корпуса — на фото. Литература:
1) И.П.Шелестов. Радиолюбителям: полезные схемы. Особенности применения аналоговых интегральных таймеров.стр.108. Солон-Пресс. Москва 2003.
2) С. Косенко. Особенности работы индуктивных элементов в однотактных преобразователях. Радио№7, 2005, с.30-32.
3) М.Дорофеев. Снижение уровня помех от импульсных источников питания. Радио №9, 2006, с.38-40.

Как измерить ку мощного транзистора

Текущее время: Вс фев 04, 2024 17:56:28

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Запрошенной темы не существует.

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y

Работоспособность сайта проверена в браузерах:
IE8.0, Opera 9.0, Netscape Navigator 7.0, Mozilla Firefox 5.0
Адаптирован для работы при разрешениях экрана от 1280х1024 и выше.
При меньших разрешениях возможно появление горизонтальной прокрутки.
По всем вопросам обращайтесь к Коту: kot@radiokot.ru
©2005-2024

Как проверить транзистор

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор, то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят цифровым мультиметром или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность щупов прибора, для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров – электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, — диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является диод, который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 — 800 мВ, а для германиевых порядка 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база – коллектор и база – эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база — эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база – коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база – эмиттер транзистора КТ3102А.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор – эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор – эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база – эмиттер и база — коллектор «звонятся» как будто нормально!

Проверка транзисторов авометром

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база – эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Все попытки измерить сопротивление участка база – эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база – эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер — коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор – эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Но более достоверные результаты об исправности транзистора можно получить с использованием специального пробника для проверки транзисторов, про который смотрите здесь: Пробник для проверки транзисторов.

• Электронные усилители. Часть 2. Усилители звуковых частот
• Электронные усилители
• Что делать, если караоке-центр не читает DVD диски

Надеюсь, что эта статья была для вас полезной. Смотрите также другие статьи в категории Электрическая энергия в быту и на производстве » Практическая электроника

Подписывайтесь на канал в Telegram про электронику для профессионалов и любителей: Практическая электроника на каждый день

Поделитесь этой статьей с друзьями: