3878 транзистор чем заменить
| Текущее время: Пн фев 05, 2024 02:21:51 |
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Запрошенной темы не существует.
Часовой пояс: UTC + 3 часа
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB
Extended by Karma MOD © 2007—2012 m157y
Extended by Topic Tags MOD © 2012 m157y
Работоспособность сайта проверена в браузерах:
IE8.0, Opera 9.0, Netscape Navigator 7.0, Mozilla Firefox 5.0
Адаптирован для работы при разрешениях экрана от 1280х1024 и выше.
При меньших разрешениях возможно появление горизонтальной прокрутки.
По всем вопросам обращайтесь к Коту: kot@radiokot.ru
©2005-2024
2SK3878, Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Технические параметры
Тип упаковки
Нормоупаковка
Вес брутто
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Мощность макс.
Тип транзистора
Описание 2SK3878
2SK3878(F) является 900В N-канальным полевым транзистором для приложений переключения.
• Низкое сопротивление во включенном состоянии на сток-исток
• Высокий уровень допуска прямой передачи
• Очень маленький ток утечки
• Режим обогащения
• Напряжение сток -затвор 900В
• Напряжение затвор — источник ±30В
• Тепловое сопротивление 0.833°C/Вт, переход к корпусу
• Тепловое сопротивление 50°C/Вт, переход к окружающей среде
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 ом при 4a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Крутизна характеристики, S | 7 |
| Корпус | sc65 |
| Вес, г | 4.6 |
Подскажите чем можно заменить транзистор 2SK3878
Любым N-канальным полевиком, ток выше 9А, напряжение выше 900В. Какая-нть хрень, типо 12N90, 9N90. В блоке питания быстродействие не так важно. Мощные составные биполярники должны потянуть, серий 2SC. проблем не вижу, ставь, пока, что имеется под рукой, с блоков питания компов, к примеру.
Остальные ответы
Я обычно беру бутылку Столичной, если не хватает какой-то радиоэлектронной запчасти. Через час, после того, как бутылка опустеет осознаешь, что в принципе этот транзистор мне нафиг не нужен.
ВасильевичЗнаток (390) 10 лет назад
да ответ прямо в точку.
3878 транзистор чем заменить
2SK3878 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK3878
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 190 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
2SK3878 Datasheet (PDF)
..1. Size:227K toshiba
2sk3878.pdf
2SK3878 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (- MOSIV) 2SK3878 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 720 V) Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA)
..2. Size:216K inchange semiconductor
2sk3878.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK3878FEATURESDrain Current I = 9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)Avalanche Energy SpecifiedFast SwitchingSimple Drive RequirementsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for a
8.1. Size:292K toshiba
2sk3879.pdf
2SK3879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (-MOSIV) 2SK3879 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.35 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 640 V) Enhancement model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, mA) Absolu
8.2. Size:101K fuji
2sk3875-01.pdf
2SK3875-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
8.3. Size:96K fuji
2sk3871-01mr.pdf
2SK3871-01MRN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220FFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25
8.4. Size:109K fuji
2sk3874-01r.pdf
2SK3874-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless o
8.5. Size:100K fuji
2sk3876-01r.pdf
2SK3876-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless othe
8.6. Size:153K fuji
2sk3872-01l-s-sj.pdf
2SK3872-01L,S,SJN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET200406Outline Drawings (mm)FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistanceSee to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
8.7. Size:95K fuji
2sk3870-01.pdf
2SK3870-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406TO-220ABFUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C
8.8. Size:112K fuji
2sk3873-01.pdf
2SK3873-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200407FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other
8.9. Size:330K inchange semiconductor
2sk3875-01.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3875-01FEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.10. Size:274K inchange semiconductor
2sk3874-01r.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3874-01RFEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.11. Size:286K inchange semiconductor
2sk3870.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3870FEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABS
8.12. Size:286K inchange semiconductor
2sk3872-01s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01SFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.13. Size:283K inchange semiconductor
2sk3872-01l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01LFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
8.14. Size:235K inchange semiconductor
2sk387.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK387DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 150V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed applications.such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor controls,rel
8.15. Size:357K inchange semiconductor
2sk3879.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3879FEATURESDrain Current : I = 6.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.AB
8.16. Size:283K inchange semiconductor
2sk3873-01.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3873-01FEATURESDrain Current : I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 280V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 61m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
